来到现在的2022年，我国的“研究”的水平已经有了质的飞跃，研发更高级别的光刻设备的技术积累也变得厚了一点。
我国在光刻机方面的产品研究已经达到“中等水平”。国产DUV光刻机产品将很快批量推出并大规模采用。据悉，上海微电子研发的28纳米国产光刻机已经安排生产，一两年后肯定会用于国产芯片的生产。而且据SMIC梁孟松预计2020年肯定会用于7纳米芯片的量产，良品率还是可以达到行业标准的。梁梦松当时表示，只有5纳米和3纳米芯片也将“只是等待”。现有的EUV光刻机是7 nm，不是吗？TSMC和三星不是已经生产5纳米芯片了吗？
最近有消息称梁梦松已经“宣布进军7 nm芯片”，这也是可信的。按照时间节点，7 nm芯片肯定是要量产的，而且肯定是荷兰ASML卖的DUV光刻机。由此，我国光刻机产品水平不再低端，在国际上与日本相当。同端当然还是明显低于美日韩欧达到的高端水平，以及目前世界顶尖水平。在国内与其他工艺装备水平相当，低于长电科技SMIC芯片制造和芯片封装的高端水平，明显低于华为芯片设计的顶级水平。苹果、高通、联发科也达到5nm。而国产中端光刻机可以直接支持SMIC制造国产7nm高端芯片，用长电技术封装，间接支持华为用高端麒麟芯片做手机。虽然只能达到7nm，但这是肯定的。
光刻机的工艺研究达到了“中级 级别”。肯定比中端国产光刻机水平高。中档光刻机整机将大规模生产，自然说明中档光刻机所需的关键技术等技术已经掌握。EUV高端光刻机的研究也已经开展，相关报道一直有报道。比如中科院高能物理研究所研究的国内首台高能同步辐射光源设备开始安装，可以实现高端工艺芯片的雕刻；中科柯美研发的线性劳厄透镜镀膜装置和纳米聚焦透镜镀膜装置已交付上海微电子，一定程度上缓解了光刻机透镜的压力；清华大学完成了新型粒子加速器光源“SSMB”的测试，其最直接的应用是作为未来EUV光刻机的光源；
中科院上海光机所信息光学与光电技术实验室提出并公布了基于虚拟边缘和双采样率像素化掩模图案的快速光学邻近效应校正技术，被认为是根据摩尔定律推动集成电路芯片继续发展的新动力。清华大学与北京华卓精科合作制造光刻机所需的65nm以下双工作台已经是“旧闻”了。可见，到目前为止，主要是针对组件技术的研发，尤其是关键组件技术，不仅取得了概念和实验室成果，而且取得了“落地”成果，可以应用；
总的来说有进步，但和前几年相比不是很大很快。还远远不能支撑EUV光刻机的产量，导致国产EUV整机甚至还没有开始立项研究。当然这主要是因为大家都说特别难。好在光刻机的“三大关键部件”越来越接近高端和自主，最终会完全实现。在这一天到来之前，其他组件技术将是轻而易举的事情。更何况中科院不是在2019年就部署了光刻机这种新技术路线的研究吗？我相信一定有进展，部署一定是因为确定了会更快，提前产生。我相信这是会发生的，所以当然可以在传统路线的国产EUV光刻机无法生产之前完成！
